Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
180 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
55 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
6.35мм
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 1 877,40
тг 187,74 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 877,40
тг 187,74 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 10 | тг 187,74 | тг 1 877,40 |
20 - 40 | тг 183,27 | тг 1 832,70 |
50 - 90 | тг 178,80 | тг 1 788,00 |
100 - 190 | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
200+ | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
180 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
55 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
6.35мм
Информация о товаре