P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin IPAK onsemi NTD2955-1G

Код товара RS: 780-0517Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTD2955-1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

55 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

2.38мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

6.35мм

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 877,40

тг 187,74 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin IPAK onsemi NTD2955-1G
Select packaging type

тг 1 877,40

тг 187,74 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin IPAK onsemi NTD2955-1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 10тг 187,74тг 1 877,40
20 - 40тг 183,27тг 1 832,70
50 - 90тг 178,80тг 1 788,00
100 - 190тг 116,22тг 1 162,20
200+тг 116,22тг 1 162,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

55 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

2.38мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

6.35мм

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor