ON Semiconductor NTD2955-1G MOSFET

Brand

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

55 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Ширина

2.38мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

6.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia