onsemi P-Channel MOSFET, 25 A, 30 V, 3-Pin DPAK NTD25P03LT4G

Код товара RS: 773-7888Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTD25P03LT4G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

90 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-15 В, +15 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

тг 2 659,65

тг 531,93 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 25 A, 30 V, 3-Pin DPAK NTD25P03LT4G
Select packaging type

тг 2 659,65

тг 531,93 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 25 A, 30 V, 3-Pin DPAK NTD25P03LT4G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 95тг 531,93тг 2 659,65
100 - 245тг 366,54тг 1 832,70
250 - 495тг 263,73тг 1 318,65
500 - 995тг 223,50тг 1 117,50
1000+тг 178,80тг 894,00

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

90 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-15 В, +15 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor