N-Channel MOSFET, 24 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD24N06LT4G
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
45 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
62,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Типичный заряд затвора при Vgs
16 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.73мм
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.38мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 2 - 48 | P.O.A. |
| 50 - 198 | P.O.A. |
| 200 - 498 | P.O.A. |
| 500 - 998 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
45 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
62,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Типичный заряд затвора при Vgs
16 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.73мм
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.38мм
Информация о товаре