ON Semiconductor NTD20N06LT4G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

48 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-15 В, +15 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

16,6 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia