P-Channel MOSFET, 18.5 A, 60 V, 3-Pin D2PAK onsemi NTB5605PG

Код товара RS: 802-0998PБренд: onsemiПарт-номер производителя: NTB5605PT4G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

18,5 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

88 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

10.29мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 4,5 В

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 18.5 A, 60 V, 3-Pin D2PAK onsemi NTB5605PG
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 18.5 A, 60 V, 3-Pin D2PAK onsemi NTB5605PG

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

18,5 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

88 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

10.29мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 4,5 В

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor