Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
45 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
28 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.29мм
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 5 В
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 5 185,20
тг 518,52 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 5 185,20
тг 518,52 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 10 - 10 | тг 518,52 | тг 5 185,20 |
| 20 - 90 | тг 500,64 | тг 5 006,40 |
| 100 - 240 | тг 420,18 | тг 4 201,80 |
| 250 - 490 | тг 411,24 | тг 4 112,40 |
| 500+ | тг 362,07 | тг 3 620,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
45 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
28 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.29мм
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 5 В
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
Информация о товаре
