ON Semiconductor NTB082N65S3F MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

82 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

313 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Ширина

9.65мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

81 нКл при 10 В

Высота

4.58мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Страна происхождения

China