Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
150 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SC-75
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Ширина
0.9мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.65мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
50 - 50 | P.O.A. |
100 - 200 | P.O.A. |
250 - 450 | P.O.A. |
500 - 950 | P.O.A. |
1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
150 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SC-75
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Ширина
0.9мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.65мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре