N-Channel MOSFET, 915 mA, 20 V, 3-Pin SC-75 onsemi NTA4153NG
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
915 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SC-75
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
9,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В, +6 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
0.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,82 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.8мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 90 | P.O.A. |
| 100 - 240 | P.O.A. |
| 250 - 490 | P.O.A. |
| 500 - 990 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
915 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SC-75
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
9,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В, +6 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
0.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,82 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.8мм
Информация о товаре