ON Semiconductor NDT2955 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип P
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
SOT-223
Серия
NDT
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
300mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
3W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
11nC
Прямое напряжение (Vf)
-1.2V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
3.56 mm
Материал каски/сварочной маски
1.6мм
Длина
6.5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Distrelec Product Id
304-65-550
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип P
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
SOT-223
Серия
NDT
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
300mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
3W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
11nC
Прямое напряжение (Vf)
-1.2V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
3.56 mm
Материал каски/сварочной маски
1.6мм
Длина
6.5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Distrelec Product Id
304-65-550
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.