ON Semiconductor NDS9945 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
300 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Ширина
3.9мм
Длина
4.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12,9 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1.57мм
Информация о товаре
Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
300 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Ширина
3.9мм
Длина
4.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12,9 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1.57мм
Информация о товаре
Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.