Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
750 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Максимальное рассеяние мощности
39 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.9мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.63мм
Типичный заряд затвора при Vgs
47 нКл при 10 В
Высота
16.12мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
750 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Максимальное рассеяние мощности
39 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.9мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.63мм
Типичный заряд затвора при Vgs
47 нКл при 10 В
Высота
16.12мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о товаре