onsemi Dual N/P-Channel MOSFET, 340 mA, 510 mA, 60 V, 6-Pin SOT-23 NDC7001C
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
340 мА, 510 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω, 10 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
960 mW
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,1 нКл при 10 В, 1,6 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 1 698,60
тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 698,60
тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 90 | тг 169,86 | тг 1 698,60 |
| 100 - 490 | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
| 500 - 990 | тг 111,75 | тг 1 117,50 |
| 1000 - 2990 | тг 89,40 | тг 894,00 |
| 3000+ | тг 71,52 | тг 715,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
340 мА, 510 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω, 10 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
960 mW
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,1 нКл при 10 В, 1,6 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.