SiC MOSFET, 24-Pin QFN24 onsemi NCV51705MNTWGOS

Код товара RS: 195-2458Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NCV51705MNTWG
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип корпуса

QFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

24

Номер канала

Поднятие

Конфигурация транзистора

Одинарный

Ширина

4.1мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Материал транзистора

SiC

Длина

4.1мм

Высота

0.85мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q100

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

SiC MOSFET, 24-Pin QFN24 onsemi NCV51705MNTWGOS

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

SiC MOSFET, 24-Pin QFN24 onsemi NCV51705MNTWGOS
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип корпуса

QFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

24

Номер канала

Поднятие

Конфигурация транзистора

Одинарный

Ширина

4.1мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Материал транзистора

SiC

Длина

4.1мм

Высота

0.85мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q100