ON Semiconductor NCP81075DR2G MOSFET

Код товара RS: 172-8788Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NCP81075DR2G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Количество элементов на ИС

2

Ширина

4мм

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+170 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.5мм

P.O.A.

ON Semiconductor NCP81075DR2G MOSFET

1

Доступно в кратности 2500
1P.O.A.
2501P.O.A.
5001P.O.A.
7501P.O.A.
10001P.O.A.
12501P.O.A.
15001P.O.A.
17501P.O.A.
20001P.O.A.
22501P.O.A.
25001P.O.A.
27501P.O.A.
30001P.O.A.
32501P.O.A.
35001P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor NCP81075DR2G MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 2500
1P.O.A.
2501P.O.A.
5001P.O.A.
7501P.O.A.
10001P.O.A.
12501P.O.A.
15001P.O.A.
17501P.O.A.
20001P.O.A.
22501P.O.A.
25001P.O.A.
27501P.O.A.
30001P.O.A.
32501P.O.A.
35001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Количество элементов на ИС

2

Ширина

4мм

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+170 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.5мм