ON Semiconductor NCP81075DR2G MOSFET

Код товара RS: 172-8788Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NCP81075DR2G
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+170 °C

Длина

5мм

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor NCP81075DR2G MOSFET

2500

Доступно в кратности 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor NCP81075DR2G MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

2500

Доступно в кратности 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+170 °C

Длина

5мм

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

1.1V