Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)
Подтип
N-канальный переключатель
Тип канала
Тип N
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
15V
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOT-23
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
350mW
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
-35 V
Число контактов
3
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
30Ом
Ток между истоком и стоком (Ids)
20 mA
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
1.3 mm
Материал каски/сварочной маски
1.04мм
Длина
2.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
50
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)
Подтип
N-канальный переключатель
Тип канала
Тип N
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
15V
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOT-23
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
350mW
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
-35 V
Число контактов
3
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
30Ом
Ток между истоком и стоком (Ids)
20 mA
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
1.3 mm
Материал каски/сварочной маски
1.04мм
Длина
2.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
