Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)
Подтип
N-канальный переключатель
Тип канала
Тип N
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
0.2V
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOT-23
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
350mW
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
80Ом
Число контактов
3
Ток между истоком и стоком (Ids)
8 mA
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
2.92мм
Материал каски/сварочной маски
0.93мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 3 576,00
тг 71,52 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 3 576,00
тг 71,52 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 71,52 | тг 3 576,00 |
| 250 - 450 | тг 53,64 | тг 2 682,00 |
| 500 - 2450 | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
| 2500 - 4950 | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
| 5000+ | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)
Подтип
N-канальный переключатель
Тип канала
Тип N
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
0.2V
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOT-23
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
350mW
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
80Ом
Число контактов
3
Ток между истоком и стоком (Ids)
8 mA
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
2.92мм
Материал каски/сварочной маски
0.93мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
