onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

Brand

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

20мкА

Высота

6.35мм

Ширина

2.38мм

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Размеры

6.73 x 2.38 x 6.35мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм