ON Semiconductor MJD112-1G Пара Дарлингтона

Код товара RS: 790-5315PБренд: onsemiПарт-номер производителя: MJD112-1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

20мкА

Размеры

6.73 x 2.38 x 6.35мм

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Высота

6.35мм

Ширина

2.38мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MJD112-1G Пара Дарлингтона
Select packaging type

P.O.A.

ON Semiconductor MJD112-1G Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

20мкА

Размеры

6.73 x 2.38 x 6.35мм

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Высота

6.35мм

Ширина

2.38мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Вас может заинтересовать