N-Channel MOSFET, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi MGSF2N02ELT1G

Код товара RS: 792-5675PБренд: onsemiПарт-номер производителя: MGSF2N02ELT1G
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

115 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 4 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.01мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi MGSF2N02ELT1G
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi MGSF2N02ELT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

115 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 4 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.01мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor