N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi HUFA76429D3ST_F085
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Серия
UltraFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.73мм
Ширина
6.22мм
Количество элементов на ИС
1
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Серия
UltraFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.73мм
Ширина
6.22мм
Количество элементов на ИС
1
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.