onsemi UltraFET N-Channel MOSFET, 75 A, 55 V, 3-Pin TO-247 HUF75344G3

Код товара RS: 807-6670Бренд: onsemiПарт-номер производителя: HUF75344G3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

75 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Серия

UltraFET

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

285 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Типичный заряд затвора при Vgs

175 нКл при 20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

4.82мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

20.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor

UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 2 369,10

тг 1 184,55 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

onsemi UltraFET N-Channel MOSFET, 75 A, 55 V, 3-Pin TO-247 HUF75344G3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 369,10
4тг 4 738,20
6тг 7 107,30
8тг 9 476,40
10тг 9 610,50
12тг 11 532,60
14тг 13 454,70
16тг 15 376,80
18тг 17 298,90
20тг 17 611,80
22тг 19 372,98
24тг 21 134,16
26тг 22 895,34
28тг 24 656,52
30тг 26 417,70

тг 2 369,10

тг 1 184,55 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

onsemi UltraFET N-Channel MOSFET, 75 A, 55 V, 3-Pin TO-247 HUF75344G3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 369,10
4тг 4 738,20
6тг 7 107,30
8тг 9 476,40
10тг 9 610,50
12тг 11 532,60
14тг 13 454,70
16тг 15 376,80
18тг 17 298,90
20тг 17 611,80
22тг 19 372,98
24тг 21 134,16
26тг 22 895,34
28тг 24 656,52
30тг 26 417,70

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 1 184,55тг 2 369,10
10 - 18тг 961,05тг 1 922,10
20 - 98тг 880,59тг 1 761,18
100 - 198тг 706,26тг 1 412,52
200+тг 630,27тг 1 260,54

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

75 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Серия

UltraFET

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

285 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Типичный заряд затвора при Vgs

175 нКл при 20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

4.82мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

20.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor

UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.