onsemi QFET N-Channel MOSFET, 1.7 A, 100 V, 3-Pin SOT-223 FQT7N10TF

Код товара RS: 807-5932Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FQT7N10TF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

QFET

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

350 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

3.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

5,8 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 3 129,00

тг 156,45 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 1.7 A, 100 V, 3-Pin SOT-223 FQT7N10TF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 3 129,00
40тг 6 258,00
60тг 9 387,00
80тг 12 516,00
100тг 10 281,00
120тг 12 337,20
140тг 14 393,40
160тг 16 449,60
180тг 18 505,80
200тг 20 562,00
220тг 22 618,20
240тг 24 674,40
260тг 26 730,60
280тг 28 786,80
300тг 30 843,00

тг 3 129,00

тг 156,45 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 1.7 A, 100 V, 3-Pin SOT-223 FQT7N10TF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 3 129,00
40тг 6 258,00
60тг 9 387,00
80тг 12 516,00
100тг 10 281,00
120тг 12 337,20
140тг 14 393,40
160тг 16 449,60
180тг 18 505,80
200тг 20 562,00
220тг 22 618,20
240тг 24 674,40
260тг 26 730,60
280тг 28 786,80
300тг 30 843,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 156,45тг 3 129,00
100 - 180тг 102,81тг 2 056,20
200 - 980тг 102,81тг 2 056,20
1000 - 1980тг 80,46тг 1 609,20
2000+тг 80,46тг 1 609,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

QFET

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

350 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

3.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

5,8 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.