ON Semiconductor FQPF85N06 MOSFET

Код товара RS: 671-5313Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FQPF85N06
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

53 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

62 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

86 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.16мм

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

QFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.19мм

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 2 391,45

тг 478,29 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

ON Semiconductor FQPF85N06 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 391,45
10тг 4 782,90
15тг 7 174,35
20тг 9 565,80
25тг 11 622,00
30тг 13 946,40
35тг 16 270,80
40тг 18 595,20
45тг 20 919,60
50тг 23 244,00
55тг 25 568,40
60тг 27 892,80
65тг 30 217,20
70тг 32 541,60
75тг 34 866,00

тг 2 391,45

тг 478,29 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

ON Semiconductor FQPF85N06 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 391,45
10тг 4 782,90
15тг 7 174,35
20тг 9 565,80
25тг 11 622,00
30тг 13 946,40
35тг 16 270,80
40тг 18 595,20
45тг 20 919,60
50тг 23 244,00
55тг 25 568,40
60тг 27 892,80
65тг 30 217,20
70тг 32 541,60
75тг 34 866,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 478,29тг 2 391,45
25 - 95тг 464,88тг 2 324,40
100 - 245тг 455,94тг 2 279,70
250 - 495тг 447,00тг 2 235,00
500+тг 438,06тг 2 190,30

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

53 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

62 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

86 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.16мм

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

QFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.19мм

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.