ON Semiconductor FQPF20N06L MOSFET

Код товара RS: 671-5240Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FQPF20N06L
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

9,5 нКл при 5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.16мм

Ширина

4.7мм

Серия

QFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.19мм

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 1 743,30

тг 348,66 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

ON Semiconductor FQPF20N06L MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 743,30
10тг 3 486,60
15тг 5 229,90
20тг 6 973,20
25тг 6 816,75
30тг 8 180,10
35тг 9 543,45
40тг 10 906,80
45тг 12 270,15
50тг 13 633,50
55тг 14 996,85
60тг 16 360,20
65тг 17 723,55
70тг 19 086,90
75тг 20 450,25

тг 1 743,30

тг 348,66 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

ON Semiconductor FQPF20N06L MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 743,30
10тг 3 486,60
15тг 5 229,90
20тг 6 973,20
25тг 6 816,75
30тг 8 180,10
35тг 9 543,45
40тг 10 906,80
45тг 12 270,15
50тг 13 633,50
55тг 14 996,85
60тг 16 360,20
65тг 17 723,55
70тг 19 086,90
75тг 20 450,25

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 348,66тг 1 743,30
25 - 95тг 272,67тг 1 363,35
100 - 245тг 223,50тг 1 117,50
250 - 495тг 214,56тг 1 072,80
500+тг 196,68тг 983,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

9,5 нКл при 5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.16мм

Ширина

4.7мм

Серия

QFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.19мм

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.