ON Semiconductor FQD7P20TM MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,7 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
690 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Ширина
6.1мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
2.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,7 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
690 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Ширина
6.1мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
2.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.