onsemi QFET N-Channel MOSFET, 1.8 A, 800 V, 3-Pin DPAK FQD2N80TM

Код товара RS: 671-0996Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FQD2N80TM
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

QFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Ширина

6.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 1 206,90

тг 241,38 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 1.8 A, 800 V, 3-Pin DPAK FQD2N80TM
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 206,90
10тг 2 413,80
15тг 3 620,70
20тг 4 827,60
25тг 5 922,75
30тг 7 107,30
35тг 8 291,85
40тг 9 476,40
45тг 10 660,95
50тг 11 845,50
55тг 13 030,05
60тг 14 214,60
65тг 15 399,15
70тг 16 583,70
75тг 17 768,25

тг 1 206,90

тг 241,38 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 1.8 A, 800 V, 3-Pin DPAK FQD2N80TM

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 206,90
10тг 2 413,80
15тг 3 620,70
20тг 4 827,60
25тг 5 922,75
30тг 7 107,30
35тг 8 291,85
40тг 9 476,40
45тг 10 660,95
50тг 11 845,50
55тг 13 030,05
60тг 14 214,60
65тг 15 399,15
70тг 16 583,70
75тг 17 768,25

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 241,38тг 1 206,90
25 - 95тг 236,91тг 1 184,55
100 - 245тг 192,21тг 961,05
250 - 495тг 187,74тг 938,70
500+тг 169,86тг 849,30

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

QFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Ширина

6.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.