onsemi QFET N-Channel MOSFET, 8 A, 1000 V, 3-Pin TO-3PN FQA8N100C

Код товара RS: 671-4972Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FQA8N100C
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Серия

QFET

Тип корпуса

TO-3PN

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,45 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

225 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

53 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.8мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

18.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 983,40

тг 983,40 Each (ex VAT)

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 8 A, 1000 V, 3-Pin TO-3PN FQA8N100C
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 983,40
2тг 1 966,80
3тг 2 950,20
4тг 3 933,60
5тг 4 917,00
6тг 5 900,40
7тг 6 883,80
8тг 7 867,20
9тг 8 850,60
10тг 9 834,00
11тг 10 817,40
12тг 11 800,80
13тг 12 784,20
14тг 13 767,60
15тг 14 751,00

тг 983,40

тг 983,40 Each (ex VAT)

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 8 A, 1000 V, 3-Pin TO-3PN FQA8N100C

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 983,40
2тг 1 966,80
3тг 2 950,20
4тг 3 933,60
5тг 4 917,00
6тг 5 900,40
7тг 6 883,80
8тг 7 867,20
9тг 8 850,60
10тг 9 834,00
11тг 10 817,40
12тг 11 800,80
13тг 12 784,20
14тг 13 767,60
15тг 14 751,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 983,40
25 - 99тг 795,66
100 - 249тг 666,03
250 - 499тг 648,15
500+тг 585,57

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Серия

QFET

Тип корпуса

TO-3PN

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,45 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

225 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

53 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.8мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

18.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.