Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Оптронная пара
Тип монтажа
Поверхность
Максимальное прямое напряжение
1.4V
Количество каналов
1
Упаковочные материалы
Лента и катушка
Количество контактов
4
Корпус
SMT
Тип входного тока
Переменного тока / постоянного тока
Типичное время нарастания
4μs
Максимальный ток на входе
50mA
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальный коэффициент передачи по току
300%
Максимальная рабочая температура
110°C
Типичное время затухания
3μs
Минимальный коэффициент передачи по току
20%
Стандарты/одобрения
EN, IEC, UL
Серия
FOD814
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
The FOD814 consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a silicon phototransistor output in a 4-pin dual in-line package.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Оптронная пара
Тип монтажа
Поверхность
Максимальное прямое напряжение
1.4V
Количество каналов
1
Упаковочные материалы
Лента и катушка
Количество контактов
4
Корпус
SMT
Тип входного тока
Переменного тока / постоянного тока
Типичное время нарастания
4μs
Максимальный ток на входе
50mA
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальный коэффициент передачи по току
300%
Максимальная рабочая температура
110°C
Типичное время затухания
3μs
Минимальный коэффициент передачи по току
20%
Стандарты/одобрения
EN, IEC, UL
Серия
FOD814
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
The FOD814 consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a silicon phototransistor output in a 4-pin dual in-line package.
