Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Оптронная пара
Тип монтажа
Поверхность
Максимальное прямое напряжение
1.4V
Количество каналов
1
Упаковочные материалы
Лента и катушка
Количество контактов
4
Корпус
SMT
Типичное время нарастания
4μs
Максимальный ток на входе
20mA
Напряжение изоляции
5kVrms
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальный коэффициент передачи по току
3%
Максимальная рабочая температура
110°C
Типичное время затухания
3μs
Минимальный коэффициент передачи по току
0.2%
Стандарты/одобрения
UL and VDE, C-UL
Серия
FOD
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The FOD814 consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a silicon phototransistor output in a 4-pin dual in-line package. The FOD817 Series consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 4-pin dual in-line package.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Оптронная пара
Тип монтажа
Поверхность
Максимальное прямое напряжение
1.4V
Количество каналов
1
Упаковочные материалы
Лента и катушка
Количество контактов
4
Корпус
SMT
Типичное время нарастания
4μs
Максимальный ток на входе
20mA
Напряжение изоляции
5kVrms
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальный коэффициент передачи по току
3%
Максимальная рабочая температура
110°C
Типичное время затухания
3μs
Минимальный коэффициент передачи по току
0.2%
Стандарты/одобрения
UL and VDE, C-UL
Серия
FOD
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The FOD814 consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a silicon phototransistor output in a 4-pin dual in-line package. The FOD817 Series consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 4-pin dual in-line package.