Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Оптронная пара
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Максимальное прямое напряжение
1.8V
Упаковочные материалы
Лента и катушка
Количество каналов
1
Количество контактов
8
Корпус
PDIP
Тип входного тока
Пост. ток
Типичное время нарастания
60ns
Максимальный ток на входе
16mA
Напряжение изоляции
5000Vrms
Логический вывод
Да
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
125°C
Стандарты/одобрения
UL1577, DIN EN/IEC60747-5-5 (pending approval)
Типичное время затухания
60ns
Серия
FOD
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The FOD3125 is a 2.5 A Output Current Gate Drive Optocoupler, capable of driving most medium power IGBT/MOSFET at high temperature up to 125°C. It is ideally suited for fast switching driving of power IGBT and MOSFETs used in motor control inverter applications, and high performance power system. It utilizes ON Semiconductors coplanar packaging technology, Optoplanar®, and optimized IC design to achieve high noise immunity, characterized by high common mode rejection. It consists of a gallium aluminium arsenide (AlGaAs) light emitting diode optically coupled to an integrated circuit with a high-speed driver for push-pull MOSFET output stage.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Оптронная пара
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Максимальное прямое напряжение
1.8V
Упаковочные материалы
Лента и катушка
Количество каналов
1
Количество контактов
8
Корпус
PDIP
Тип входного тока
Пост. ток
Типичное время нарастания
60ns
Максимальный ток на входе
16mA
Напряжение изоляции
5000Vrms
Логический вывод
Да
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
125°C
Стандарты/одобрения
UL1577, DIN EN/IEC60747-5-5 (pending approval)
Типичное время затухания
60ns
Серия
FOD
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The FOD3125 is a 2.5 A Output Current Gate Drive Optocoupler, capable of driving most medium power IGBT/MOSFET at high temperature up to 125°C. It is ideally suited for fast switching driving of power IGBT and MOSFETs used in motor control inverter applications, and high performance power system. It utilizes ON Semiconductors coplanar packaging technology, Optoplanar®, and optimized IC design to achieve high noise immunity, characterized by high common mode rejection. It consists of a gallium aluminium arsenide (AlGaAs) light emitting diode optically coupled to an integrated circuit with a high-speed driver for push-pull MOSFET output stage.