ON Semiconductor FGH40T120SQDNL4 IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальный непрерывный ток коллектора
160 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Максимальное рассеяние мощности
454 Вт
Количество транзисторов
1
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
P
Число контактов
4
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.8 x 5.2 x 22.74мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Емкость затвора
5000пФ
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальный непрерывный ток коллектора
160 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Максимальное рассеяние мощности
454 Вт
Количество транзисторов
1
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
P
Число контактов
4
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.8 x 5.2 x 22.74мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Емкость затвора
5000пФ
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
China