onsemi FGH40T120SQDNL4, P-Channel IGBT, 160 A 1200 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

Код товара RS: 178-4594Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FGH40T120SQDNL4
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

160 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

454 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

4

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5.2 x 22.74мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

5000пФ

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FGH40T120SQDNL4 IGBT
ON Semiconductor FGH40T120SQDNL4 IGBTБренд: onsemi
P.O.A.Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi FGH40T120SQDNL4, P-Channel IGBT, 160 A 1200 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

onsemi FGH40T120SQDNL4, P-Channel IGBT, 160 A 1200 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.
Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FGH40T120SQDNL4 IGBT
ON Semiconductor FGH40T120SQDNL4 IGBTБренд: onsemi
P.O.A.Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

160 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

454 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

4

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5.2 x 22.74мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

5000пФ

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FGH40T120SQDNL4 IGBT
ON Semiconductor FGH40T120SQDNL4 IGBTБренд: onsemi
P.O.A.Each (In a Tube of 30) (ex VAT)