ON Semiconductor FFSP3065A Силовой модуль SiC

Код товара RS: 172-8780Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FFSP3065A
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное рассеяние мощности

240 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Ширина

4.8мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

SiC

Длина

10.67мм

Высота

16.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

2.4V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FFSP3065A Силовой модуль SiC

800

Доступно в кратности 800
800P.O.A.
1600P.O.A.
2400P.O.A.
3200P.O.A.
4000P.O.A.
4800P.O.A.
5600P.O.A.
6400P.O.A.
7200P.O.A.
8000P.O.A.
8800P.O.A.
9600P.O.A.
10400P.O.A.
11200P.O.A.
12000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor FFSP3065A Силовой модуль SiC
Информация о наличии не успела загрузиться

800

Доступно в кратности 800
800P.O.A.
1600P.O.A.
2400P.O.A.
3200P.O.A.
4000P.O.A.
4800P.O.A.
5600P.O.A.
6400P.O.A.
7200P.O.A.
8000P.O.A.
8800P.O.A.
9600P.O.A.
10400P.O.A.
11200P.O.A.
12000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное рассеяние мощности

240 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Ширина

4.8мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

SiC

Длина

10.67мм

Высота

16.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

2.4V