P-Channel MOSFET, 460 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 onsemi FDV304P
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
460 мА
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,1 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.65V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+8 В
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
1,1 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Ширина
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.93мм
Информация о товаре
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 715,20
Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 715,20
Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 715,20 |
| 25 - 99 | тг 125,16 |
| 100 - 249 | тг 62,58 |
| 250 - 499 | тг 58,11 |
| 500+ | тг 49,17 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
460 мА
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,1 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.65V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+8 В
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
1,1 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Ширина
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.93мм
Информация о товаре
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.