onsemi PowerTrench Dual N-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC FDS9926A
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOIC
Серия
PowerTrench
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
30 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Ширина
4мм
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
6,2 нКл при 4,5 В
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 1 139,85
тг 227,97 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 139,85
тг 227,97 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 227,97 | тг 1 139,85 |
| 25 - 95 | тг 178,80 | тг 894,00 |
| 100 - 245 | тг 120,69 | тг 603,45 |
| 250 - 495 | тг 116,22 | тг 581,10 |
| 500+ | тг 116,22 | тг 581,10 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOIC
Серия
PowerTrench
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
30 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Ширина
4мм
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
6,2 нКл при 4,5 В
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.