Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8,5 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Серия
PowerTrench
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
9,2 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 1 698,60
тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 698,60
тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 169,86 | тг 1 698,60 |
50 - 90 | тг 165,39 | тг 1 653,90 |
100 - 240 | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
250 - 490 | тг 107,28 | тг 1 072,80 |
500+ | тг 107,28 | тг 1 072,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8,5 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Серия
PowerTrench
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
9,2 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.