onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 8.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC FDS8884
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8,5 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
9,2 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 1 698,60
тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 698,60
тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 169,86 | тг 1 698,60 |
| 50 - 90 | тг 165,39 | тг 1 653,90 |
| 100 - 240 | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
| 250 - 490 | тг 107,28 | тг 1 072,80 |
| 500+ | тг 107,28 | тг 1 072,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8,5 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
9,2 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.