Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS6911

Код товара RS: 806-3661Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDS6911
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Длина

4.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл при 10 В

Ширина

3.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.575мм

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 2 972,55

тг 594,51 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS6911
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 972,55
10тг 5 945,10
15тг 8 917,65
20тг 11 890,20
25тг 11 510,25
30тг 13 812,30
35тг 16 114,35
40тг 18 416,40
45тг 20 718,45
50тг 18 550,50
55тг 20 405,55
60тг 22 260,60
65тг 24 115,65
70тг 25 970,70
75тг 27 825,75

тг 2 972,55

тг 594,51 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS6911

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 972,55
10тг 5 945,10
15тг 8 917,65
20тг 11 890,20
25тг 11 510,25
30тг 13 812,30
35тг 16 114,35
40тг 18 416,40
45тг 20 718,45
50тг 18 550,50
55тг 20 405,55
60тг 22 260,60
65тг 24 115,65
70тг 25 970,70
75тг 27 825,75

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Лента
5 - 20тг 594,51тг 2 972,55
25 - 45тг 460,41тг 2 302,05
50 - 245тг 371,01тг 1 855,05
250 - 495тг 308,43тг 1 542,15
500+тг 263,73тг 1 318,65

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Длина

4.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл при 10 В

Ширина

3.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.575мм

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.