ON Semiconductor FDS4935BZ MOSFET

Код товара RS: 671-0536PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FDS4935BZ
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6,9 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

29 нКл при 10 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Информация о товаре

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Вас может заинтересовать
MOSFET P-Channel 30V 5A SOIC8
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

ON Semiconductor FDS4935BZ MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

ON Semiconductor FDS4935BZ MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
MOSFET P-Channel 30V 5A SOIC8
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6,9 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

29 нКл при 10 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Информация о товаре

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Вас может заинтересовать
MOSFET P-Channel 30V 5A SOIC8
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)