onsemi PowerTrench Dual P-Channel MOSFET, 7 A, 30 V, 8-Pin SOIC FDS4935A

Код товара RS: 671-0532Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDS4935A
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

23 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 5 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 056,20

тг 411,24 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi PowerTrench Dual P-Channel MOSFET, 7 A, 30 V, 8-Pin SOIC FDS4935A
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 056,20
10тг 4 112,40
15тг 6 168,60
20тг 8 224,80
25тг 8 046,00
30тг 9 655,20
35тг 11 264,40
40тг 12 873,60
45тг 14 482,80
50тг 16 092,00
55тг 17 701,20
60тг 19 310,40
65тг 20 919,60
70тг 22 528,80
75тг 24 138,00

тг 2 056,20

тг 411,24 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi PowerTrench Dual P-Channel MOSFET, 7 A, 30 V, 8-Pin SOIC FDS4935A
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 056,20
10тг 4 112,40
15тг 6 168,60
20тг 8 224,80
25тг 8 046,00
30тг 9 655,20
35тг 11 264,40
40тг 12 873,60
45тг 14 482,80
50тг 16 092,00
55тг 17 701,20
60тг 19 310,40
65тг 20 919,60
70тг 22 528,80
75тг 24 138,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 411,24тг 2 056,20
25 - 95тг 321,84тг 1 609,20
100 - 245тг 259,26тг 1 296,30
250 - 495тг 254,79тг 1 273,95
500+тг 232,44тг 1 162,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

23 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 5 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.