Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип P, Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
4.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
SOIC
Серия
PowerTrench
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
55mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
12.5nC
Прямое напряжение (Vf)
0.8V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
2W
Максимальная рабочая температура
175°C
Конфигурация транзистора
Изолированный
Ширина
4 mm
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Количество элементов на ИС
2
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип P, Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
4.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
SOIC
Серия
PowerTrench
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
55mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
12.5nC
Прямое напряжение (Vf)
0.8V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
2W
Максимальная рабочая температура
175°C
Конфигурация транзистора
Изолированный
Ширина
4 mm
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Количество элементов на ИС
2
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
