onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 10.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC FDS4480

Код товара RS: 671-0514PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FDS4480
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10,8 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOIC

Серия

PowerTrench

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

12 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

29 нКл при 10 В

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 10.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC FDS4480
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 10.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC FDS4480
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10,8 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOIC

Серия

PowerTrench

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

12 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

29 нКл при 10 В

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.