onsemi UniFET N-Channel MOSFET, 4 A, 500 V, 3-Pin TO-220F FDPF5N50UT

Код товара RS: 864-8619Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDPF5N50UT
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-220F

Серия

UniFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

28 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.9мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Высота

16.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 4 023,00

тг 402,30 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

onsemi UniFET N-Channel MOSFET, 4 A, 500 V, 3-Pin TO-220F FDPF5N50UT
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 4 023,00
20тг 8 046,00
30тг 12 069,00
40тг 16 092,00
50тг 16 762,50
60тг 20 115,00
70тг 23 467,50
80тг 26 820,00
90тг 30 172,50
100тг 27 267,00
110тг 29 993,70
120тг 32 720,40
130тг 35 447,10
140тг 38 173,80
150тг 40 900,50

тг 4 023,00

тг 402,30 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

onsemi UniFET N-Channel MOSFET, 4 A, 500 V, 3-Pin TO-220F FDPF5N50UT

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 4 023,00
20тг 8 046,00
30тг 12 069,00
40тг 16 092,00
50тг 16 762,50
60тг 20 115,00
70тг 23 467,50
80тг 26 820,00
90тг 30 172,50
100тг 27 267,00
110тг 29 993,70
120тг 32 720,40
130тг 35 447,10
140тг 38 173,80
150тг 40 900,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 402,30тг 4 023,00
50 - 90тг 335,25тг 3 352,50
100 - 490тг 272,67тг 2 726,70
500 - 990тг 259,26тг 2 592,60
1000+тг 223,50тг 2 235,00

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-220F

Серия

UniFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

28 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.9мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Высота

16.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.