ON Semiconductor FDP61N20 MOSFET

Код товара RS: 671-4859Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDP61N20
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

61A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

200V

Корпус

TO-220

Серия

UniFET

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

41mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.4V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

417W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

58nC

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.83 mm

Материал каски/сварочной маски

9.4мм

Длина

10.67мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 862,71

тг 862,71 Each (ex VAT)

ON Semiconductor FDP61N20 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 862,71
2тг 1 725,42
3тг 2 588,13
4тг 3 450,84
5тг 4 313,55
6тг 5 176,26
7тг 6 038,97
8тг 6 901,68
9тг 7 764,39
10тг 8 627,10
11тг 9 489,81
12тг 10 352,52
13тг 11 215,23
14тг 12 077,94
15тг 12 940,65

тг 862,71

тг 862,71 Each (ex VAT)

ON Semiconductor FDP61N20 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 862,71
2тг 1 725,42
3тг 2 588,13
4тг 3 450,84
5тг 4 313,55
6тг 5 176,26
7тг 6 038,97
8тг 6 901,68
9тг 7 764,39
10тг 8 627,10
11тг 9 489,81
12тг 10 352,52
13тг 11 215,23
14тг 12 077,94
15тг 12 940,65

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 862,71
25 - 99тг 701,79
100 - 249тг 563,22
250 - 499тг 531,93
500+тг 491,70

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

61A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

200V

Корпус

TO-220

Серия

UniFET

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

41mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.4V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

417W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

58nC

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.83 mm

Материал каски/сварочной маски

9.4мм

Длина

10.67мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.