ON Semiconductor FDP33N25 MOSFET

Код товара RS: 671-4819PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FDP33N25
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

33A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

250V

Корпус

JEDEC TO-220AB

Серия

UniFET

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.094Ом

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

235W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

±30 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

36.8nC

Прямое напряжение (Vf)

1.4V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.83 mm

Материал каски/сварочной маски

9.4мм

Длина

10.67мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

ON Semiconductor FDP33N25 MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

ON Semiconductor FDP33N25 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

33A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

250V

Корпус

JEDEC TO-220AB

Серия

UniFET

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.094Ом

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

235W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

±30 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

36.8nC

Прямое напряжение (Vf)

1.4V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.83 mm

Материал каски/сварочной маски

9.4мм

Длина

10.67мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.