ON Semiconductor FDP2532 MOSFET

Код товара RS: 124-1748Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDP2532
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

16 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

310 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.83мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

82 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FDP2532 MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor FDP2532 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

16 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

310 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.83мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

82 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.