ON Semiconductor FDP10N60NZ MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
750 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
185 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
4.9мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 10 В
Длина
10.36мм
Высота
16.07мм
Серия
UniFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
2
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
750 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
185 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
4.9мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 10 В
Длина
10.36мм
Высота
16.07мм
Серия
UniFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.